时间：2025/9/15 0:34:52
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PMPB85ENEAX是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热稳定性。该MOSFET采用TSSOP8封装形式，适用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等应用。PMPB85ENEAX具备高可靠性、低功耗以及优异的开关性能，是工业、汽车和消费类电子产品中常用的功率开关器件。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：4.9A
导通电阻(Rds(on))：23mΩ @ Vgs=10V, 4.9A
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TSSOP8
阈值电压(Vgs(th))：1.0V ~ 2.5V
输入电容(Ciss)：580pF @ Vds=15V
功率耗散(Pd)：3.1W
PMPB85ENEAX具有多个关键性能优势，首先是其低导通电阻，能够在高电流条件下显著降低导通损耗，提高整体系统效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使其在高频开关应用中表现出色，有助于减小外围元件的尺寸并提高转换效率。此外，TSSOP8封装不仅节省空间，还具有良好的热管理能力，有助于在高负载条件下保持稳定的工作温度。PMPB85ENEAX还具备较强的抗静电能力和较高的可靠性，适合在严苛的工业和汽车环境中使用。其宽泛的栅极电压范围允许使用常见的10V或12V驱动电路，增强了设计的灵活性。
在动态性能方面，PMPB85ENEAX的开关速度快，具有较低的开关损耗，特别适用于高频DC-DC转换器和同步整流电路。其输入电容较小，有助于降低驱动损耗，提高系统的响应速度。此外，该MOSFET的阈值电压较低，能够在较低的控制电压下实现有效导通，适用于低压供电系统中的功率控制应用。
PMPB85ENEAX广泛应用于各类电源管理系统和功率电子设备中，典型应用包括同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及LED照明驱动电路。在工业自动化设备中，该MOSFET常用于电源模块和开关电源的次级侧整流环节。在汽车电子领域，PMPB85ENEAX可用于车载充电器、车身控制系统和电池管理系统等应用。此外，在消费类电子产品如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理单元中，该器件也常被用于高效能电源转换和负载控制。
Si2302DS, BSS138K, AO3400A, FDS6675, IPB017N06N3
