时间：2025/8/2 5:45:39
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PMPB48EPA是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率控制应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，提供较低的导通电阻和高效的功率转换性能。其封装形式为PowerFLAT 5x6，具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，适用于空间受限的设计场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：48V
连续漏极电流(Id)：180A（Tc=25°C）
导通电阻(Rds(on))：5.2mΩ（最大值）
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
功耗(Pd)：180W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
PMPB48EPA采用了STMicroelectronics的先进沟槽MOSFET技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了能效。这种低Rds(on)特性使其非常适合用于高电流应用，如DC-DC转换器、电机控制和负载开关。该器件还具备高雪崩耐受能力和良好的热稳定性，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。PowerFLAT 5x6封装不仅提供了优异的热管理性能，还具备紧凑的尺寸，适合高密度PCB布局设计。此外，该MOSFET的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。PMPB48EPA还具备出色的抗短路能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。
PMPB48EPA常用于电源管理系统、工业自动化设备、电动工具、电动车控制系统、DC-DC转换器以及电池管理系统（BMS）。由于其高电流处理能力和低导通电阻，它也广泛应用于高性能服务器电源、电信设备和汽车电子系统。
IPB018N04NG, NVTFS5C481NLT, FDBL0180N04A
