时间：2025/8/2 6:53:46
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PMPB47XP 是一款由 STMicroelectronics 生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率、低导通电阻和小尺寸封装的电源管理电路中。该器件采用先进的沟槽栅技术，提供较低的导通损耗和优异的开关性能，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和低压功率控制等应用。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-4.7A
导通电阻（RDS(on)）：@4.5V GS：约 42mΩ；@2.5V GS：约 50mΩ
功耗（PD）：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-223
PMPB47XP 的关键特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少功率损耗并提高系统效率。在 4.5V 栅极电压下，其 RDS(on) 典型值为 42mΩ，而在较低的 2.5V 栅极电压下也能保持在 50mΩ 左右，使其适用于低电压驱动电路。
该 MOSFET 采用 SOT-223 封装，具有良好的热性能和紧凑的尺寸，适合高密度 PCB 设计。其最大漏源电压为 -30V，可支持多种低压功率应用，如电源开关、电机控制和 LED 驱动等。
PMPB47XP 还具备良好的开关性能，包括快速的开关速度和低栅极电荷（Qg），从而降低了开关损耗。此外，该器件具有较高的抗雪崩击穿能力，增强了其在恶劣工作条件下的可靠性和稳定性。
该 MOSFET 支持逻辑电平驱动，栅源电压阈值较低，通常在 -1.0V 至 -2.5V 范围内，使其可以直接由微控制器或逻辑电路驱动，而无需额外的栅极驱动电路。这种特性在电池供电设备和便携式电子产品中尤为重要。
另外，PMPB47XP 还具有良好的热阻特性，封装热阻（RthJA）约为 90°C/W，确保在高负载条件下仍能有效散热，避免因过热而导致的性能下降或损坏。
PMPB47XP 主要应用于各种低电压功率管理系统，包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池充电和保护电路、电机驱动器、LED 照明控制以及工业自动化设备中的功率控制模块。
在消费类电子产品中，该器件常用于电源管理单元，例如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等设备的电池管理系统中，用于控制充放电路径和负载切换。
在工业控制系统中，PMPB47XP 可用于小型开关电源（SMPS）、PLC 模块、传感器电源管理电路以及低功耗电机控制器。
由于其低导通电阻和逻辑电平驱动能力，该 MOSFET 特别适合用于需要高效率和快速响应的场合，例如步进电机驱动、LED 调光控制、智能电表和嵌入式系统的电源管理部分。
此外，PMPB47XP 还可用于汽车电子中的辅助电源系统，如车载娱乐系统、仪表盘电源控制、车灯控制模块等，满足汽车环境中对可靠性和稳定性的高要求。
Si2301DS, FDN304P, FDV301P, NTR4182P
