时间：2025/8/2 5:49:24
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PMPB43XPEA 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换应用设计。这款器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流能力，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。PMPB43XPEA 采用先进的制造工艺，提供良好的热稳定性和高频性能，使其在高负载条件下仍能保持优异的性能。
类型: N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 (VDS): 30V
最大栅源电压 (VGS): ±20V
最大连续漏极电流 (ID): 180A
导通电阻 (RDS(on)): 3.2mΩ（典型值，VGS=10V）
阈值电压 (VGS(th)): 1V 至 3V
最大功耗 (PD): 130W
工作温度范围: -55°C 至 175°C
封装类型: TO-220
PMPB43XPEA MOSFET 具有多个关键特性，使其适用于高性能功率转换应用。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。这使得该器件在大电流应用中表现尤为出色。此外，PMPB43XPEA 支持高栅源电压（±20V），允许用户在设计栅极驱动电路时具有更大的灵活性。
其次，该器件的高电流承载能力（最大连续漏极电流为 180A）使其非常适合用于高功率密度设计。其先进的硅技术确保了在高温条件下仍能保持稳定的性能，同时具备良好的热管理和散热能力。
另外，PMPB43XPEA 的阈值电压较低（1V 至 3V），这意味着它可以在较低的栅极电压下实现导通，适用于低功耗或电池供电的应用场景。其封装形式（TO-220）提供了良好的机械强度和热传导性能，方便用户在 PCB 上安装和散热处理。
最后，PMPB43XPEA 在设计时考虑了抗雪崩击穿能力，使其能够在高能量瞬态条件下保持可靠性。这使其成为工业自动化、汽车电子和电源管理等领域的理想选择。
PMPB43XPEA MOSFET 主要应用于需要高效功率管理的场合。例如，它可以用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关以及电机驱动电路。在工业自动化和控制系统中，该器件常用于高效率的电源模块和功率放大器设计。此外，PMPB43XPEA 还适用于电池管理系统（BMS），如电动工具、电动自行车和储能系统中的功率开关。由于其高可靠性和抗瞬态能力，该器件也广泛用于汽车电子领域，包括车载充电器、发动机控制模块和车身控制系统。
IPB43XPEA、IRF1404、FDMS86101、SiRA34DP
