PMPB43XPE 时间：2025/8/2 7:31:11 阅读：24

PMPB43XPE 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率电源管理和功率开关应用而设计，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和快速开关特性。其采用先进的PowerMESH技术，确保了在高温和高电流条件下的稳定性和可靠性。PMPB43XPE 通常封装于DPAK或TO-252等表面贴装封装中，适用于广泛的应用场景。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：120A（在25°C环境温度下）
　　导通电阻(Rds(on))：最大值为4.3mΩ（典型值为3.8mΩ）
　　功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：DPAK、TO-252等

特性

PMPB43XPE 具备多项优异特性，首先是其极低的导通电阻，Rds(on)最大值仅为4.3mΩ，这使得在大电流条件下导通损耗大幅降低，从而提高系统效率。其次是其高电流承载能力，在25°C环境下可承受高达120A的连续漏极电流，适合用于高功率密度设计。此外，该器件具备良好的热稳定性，得益于先进的PowerMESH技术和优化的封装设计，确保在高温环境下仍能保持稳定运行。
　　该MOSFET的开关速度快，能够支持高频操作，适用于开关电源、DC-DC转换器等高频应用。其栅极驱动电压范围较宽，支持标准逻辑电平驱动（如5V或10V），增强了设计灵活性。PMPB43XPE 还具备较高的短路耐受能力，提高了系统在异常工况下的可靠性。
　　此外，该器件采用了符合RoHS标准的环保封装材料，支持无铅工艺，适用于各类环保电子设备。由于其高可靠性和高性能，PMPB43XPE 常被用于汽车电子、工业控制、电源模块和电机驱动等高要求应用中。

应用

PMPB43XPE 主要应用于需要高效率和高可靠性的功率系统中。例如，在DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电源管理模块、电池充电系统、马达驱动器以及负载开关中均有广泛应用。此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统（EPS）。在工业领域，它可用于伺服驱动器、UPS电源、太阳能逆变器和高功率LED照明驱动等场景。