时间：2025/9/14 12:17:38
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PMPB33XP,115 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 Trench 工艺制造，具备低导通电阻、高效率和优异的热稳定性，适用于各种电源管理和功率转换应用。该 MOSFET 封装形式为 TO-252（DPAK），便于在 PCB 上安装和散热。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：110A
导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ @ VGS=10V
导通电阻(RDS(on))：5.7mΩ @ VGS=4.5V
功率耗散(PD)：130W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装：TO-252 (DPAK)
PMPB33XP,115 具备非常低的导通电阻（RDS(on)），可在高电流条件下保持较低的导通损耗，从而提高系统效率。其采用的高性能 Trench 技术确保了良好的载流能力和热稳定性。
该器件支持高栅极电压驱动（最高±20V），可在广泛的应用条件下保持稳定工作。此外，其最大连续漏极电流可达 110A，适用于高功率密度设计。
该 MOSFET 的 TO-252（DPAK）封装不仅便于表面贴装，还具备良好的散热性能，适合在紧凑型功率模块中使用。器件内部结构优化，可有效抑制寄生电容，提升开关速度和减少开关损耗。
在热管理方面，PMPB33XP,115 具备出色的热阻性能，能在高功率运行时维持较低的温度上升，从而延长使用寿命和提升系统可靠性。
PMPB33XP,115 广泛应用于各种功率电子系统中，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源负载开关以及汽车电子系统等。其高电流能力和低导通电阻使其特别适用于要求高效能和高可靠性的电源管理应用。
IPB033N04NG, INF8413, SQJQ334P, SiSS33DN
