时间：2025/8/2 5:58:03
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PMPB29XNE是一款由STMicroelectronics制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高效率、高频率的功率转换应用。该器件采用了先进的STripFET F7技术，具有低导通电阻、高雪崩能量承受能力和优异的热性能。PMPB29XNE特别适用于汽车、工业电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等高要求的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大连续漏极电流（ID）：120A
导通电阻（RDS(on)）：@4.5V VGS：5.9mΩ（最大）
@2.5V VGS：7.3mΩ（最大）
栅极电荷（Qg）：64nC
功率耗散（Ptot）：160W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：PowerFLAT 5x6 HV
PMPB29XNE MOSFET具有多项卓越特性，确保其在高要求的功率应用中表现优异。首先，该器件采用了STMicroelectronics先进的STripFET F7技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了能效。其RDS(on)在VGS为4.5V时仅为5.9mΩ，在2.5V时为7.3mΩ，这使其非常适合用于低电压驱动电路。
其次，PMPB29XNE具备出色的热管理和功率耗散能力。其PowerFLAT 5x6 HV封装设计不仅提供良好的热传导路径，还允许在高电流条件下稳定运行，最大功率耗散可达160W。此外，该器件的额定工作温度范围为-55°C至175°C，适合在极端环境条件下使用，如汽车电子和工业自动化设备。
该MOSFET还具有高雪崩能量承受能力，增强了器件在瞬态过压情况下的可靠性和耐用性。其栅极电荷（Qg）仅为64nC，有助于降低开关损耗，提高系统效率。此外，PMPB29XNE支持多种栅极驱动电压，包括4.5V和2.5V，使其兼容多种控制IC和驱动器，提高了设计灵活性。
综上所述，PMPB29XNE凭借其低导通电阻、高功率处理能力、优良的热性能和广泛的温度适应性，成为汽车、工业电源和高效率转换器等领域的理想选择。
PMPB29XNE广泛应用于需要高效功率管理的各类系统中。在汽车电子领域，该MOSFET常用于电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）和车载充电器（OBC）等关键模块，其高可靠性和宽工作温度范围确保在严苛环境下稳定运行。
在工业应用中，PMPB29XNE适用于DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制单元。其低RDS(on)和高电流能力有助于提升系统效率，降低功耗。
此外，该器件还可用于服务器电源、UPS（不间断电源）、光伏逆变器等高功率密度应用中，满足对能效和散热性能的严格要求。在电机控制方面，PMPB29XNE可作为H桥电路中的关键开关元件，支持快速开关操作并减少能量损失。
由于其良好的栅极驱动兼容性，PMPB29XNE也适用于采用数字控制或模拟PWM控制器的现代电源管理系统，适用于各种拓扑结构，如同步整流、升压/降压变换器等。
IPB29XN3,NCE2912A,FDMS86181,STMV29N3LLF
