PMPB25ENE 时间：2025/8/2 4:50:56 阅读：14

PMPB25ENE 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于需要高效、高速开关性能的电源管理应用。PMPB25ENE 采用先进的沟槽式栅极技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于广泛的工业和消费类电子设备。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：25V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：5.3A
　　导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=4.5V，典型值为52mΩ；@Vgs=2.5V，典型值为70mΩ
　　功率耗散（Ptot）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

PMPB25ENE MOSFET具有多个关键特性，使其适用于现代电子系统中的高效能电源转换应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流工作时，器件的功耗和发热保持在较低水平，从而提高整体系统的效率。其次，该器件支持低栅极电荷（Qg），使得开关速度更快，减少了开关损耗，非常适合高频开关应用。
　　此外，PMPB25ENE 工作电压范围广泛，栅极驱动电压可低至2.5V，这使其兼容多种现代微控制器和电源管理IC的输出驱动能力。这种低电压驱动能力特别适用于电池供电设备，如便携式电子产品、移动电源、智能穿戴设备等。
　　该MOSFET采用SOT-23封装，是一种小型化、高可靠性的封装形式，便于在空间受限的设计中使用。SOT-23封装虽然体积小巧，但依然具备良好的散热性能，能够在较高的工作电流下保持稳定运行。此外，PMPB25ENE 具有良好的热稳定性，能够在较高环境温度下正常工作，适合工业级应用要求。
　　在可靠性方面，PMPB25ENE 符合AEC-Q101汽车级认证标准，适用于汽车电子系统中，如电动助力转向、车灯控制、车载充电器等。其高耐用性和稳定性使其在恶劣环境条件下也能保持长期运行的可靠性。

应用

PMPB25ENE 广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理、电池充电与保护电路、DC-DC转换器、负载开关、马达驱动电路以及汽车电子系统。在便携式电子产品中，该MOSFET可用于高效能同步整流器和负载开关，以延长电池寿命并减少功耗。在工业控制系统中，它适用于低电压电机驱动、传感器供电控制和电源分配模块。
　　此外，PMPB25ENE 还常见于电源管理IC（PMIC）外围电路，用于构建高效率的稳压器和功率开关。在汽车电子领域，该器件可应用于车身控制模块（BCM）、照明系统、车载充电设备以及电池管理系统（BMS）等场景。由于其支持低电压驱动和高可靠性，PMPB25ENE 在现代汽车电子系统中具有广泛的应用前景。