时间：2025/9/14 2:17:18
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PMPB24EPX 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源管理应用而设计。该器件采用先进的Power MOSFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流能力和优良的热稳定性，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电机驱动等应用场景。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100A（在TC=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：最大7.5mΩ（在VGS=10V）
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：PowerFLAT 5x6
PMPB24EPX 具备多项优异特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统效率。
其次，该器件采用了先进的沟槽栅技术，提高了电流密度并优化了热性能，使其在高功率密度设计中表现出色。
此外，PMPB24EPX 的封装形式为PowerFLAT 5x6，具备良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和高密度PCB布局。
该MOSFET还具备高雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压情况下的可靠性。
其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（如5V或10V驱动），简化了与控制器的接口设计。
综合来看，PMPB24EPX 是一款适用于高性能电源转换与功率控制的理想选择。
PMPB24EPX 主要应用于需要高效能功率管理的电路中，例如：
DC-DC降压/升压转换器，用于电信设备、服务器电源及工业自动化系统；
电池管理系统（BMS），用于电动工具、储能系统和新能源汽车；
负载开关和热插拔控制电路，提供快速、可靠的电源切换；
电机驱动器，适用于工业电机控制和家用电器；
LED照明系统，实现高效率恒流驱动方案；
此外，该器件也适用于逆变器、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等高功率应用。
PMPB24ENP, PMPB24EPY, PMPB24EPN, IPD24N03LA, STD24NM50N
