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PMPB215ENEAX 发布时间 时间:2025/9/14 23:35:14 查看 阅读:28

PMPB215ENEAX是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率、高功率密度的电源应用设计。该器件采用先进的Trench MOSFET技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高开关性能,适用于各种电源转换系统,如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制电路。PMPB215ENEAX采用SOT-223封装,具备良好的热性能和紧凑的外形尺寸,适合在空间受限的应用中使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):10A(在Tc=25℃时)
  导通电阻(RDS(on)):最大值21.5mΩ(在VGS=10V时)
  功率耗散(PD):40W
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:SOT-223

特性

PMPB215ENEAX采用了恩智浦先进的Trench MOSFET工艺,确保了极低的导通电阻和优异的开关性能。该器件在VGS=10V时,RDS(on)最大仅为21.5mΩ,显著降低了导通损耗,提高了系统效率。此外,该MOSFET具有较高的电流承载能力,在适当的散热条件下可支持高达10A的连续漏极电流,适用于中高功率应用。
  其SOT-223封装设计提供了良好的热管理性能,有助于快速将热量从芯片传导至外部环境,确保器件在高负载条件下稳定运行。同时,该封装形式体积小巧,适合在PCB空间受限的设计中使用。
  PMPB215ENEAX的工作温度范围宽达-55℃至+175℃,可在恶劣的工业环境中可靠工作。此外,该器件具备较高的栅极电压耐受能力(±20V),增强了其在高频开关应用中的稳定性与可靠性。
  值得一提的是,PMPB215ENEAX具有较低的栅极电荷(Qg),有助于减少开关损耗,提高开关速度,适用于高频率的DC-DC转换器和同步整流电路。

应用

PMPB215ENEAX广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(如便携式设备中的电源管理模块)、电机驱动器、工业自动化设备和电源适配器等。
  在服务器和通信设备的电源模块中,PMPB215ENEAX可作为高效能的功率开关使用,提升整体能效。在电动汽车和电池供电系统中,该MOSFET可用于电池保护电路或功率分配系统。此外,在消费类电子产品中,如笔记本电脑、平板电脑和智能电源插座中,它也可用于高效能电源管理。

替代型号

PMPB215ENEAX的替代型号包括IRF3710、IPD90N03C3、FDMS86181、SiSS120DN-T1-GE3等。这些MOSFET在电压、电流和导通电阻方面具有相似的性能指标,适用于类似的电源管理应用场景。

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PMPB215ENEAX参数

  • 现有数量21,000现货
  • 价格1 : ¥4.13000剪切带(CT)3,000 : ¥1.17762卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)80 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.9A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)230 毫欧 @ 1.9A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.7V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)7.2 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)215 pF @ 40 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.6W(Ta),15.6W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DFN2020MD-6
  • 封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘