PMPB14XNX 时间：2025/9/14 5:57:25 阅读：16

PMPB14XNX 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于中高功率的开关应用。该器件采用先进的 Trench 技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制和电池供电设备等应用场景。PMPB14XNX 通常封装在 DPAK（TO-252）封装中，具有良好的热性能和可靠性。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大20mΩ（在Vgs=10V时）
　　功耗（Ptot）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：DPAK（TO-252）

特性

PMPB14XNX 的核心特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。其20mΩ的Rds(on)在Vgs=10V时表现优异，使得该器件在高电流应用中也能保持较低的温升。
　　此外，PMPB14XNX 具有较高的电流承载能力，能够在连续工作条件下支持高达8A的漏极电流，适合用于需要较高负载能力的电源系统。其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V驱动电压，同时也兼容逻辑电平驱动电路（视具体型号而定）。
　　该MOSFET采用DPAK（TO-252）封装，具有良好的热管理能力，便于在PCB上安装和散热设计。这种封装形式也使得PMPB14XNX适用于表面贴装技术（SMT），提高了制造效率和可靠性。
　　另外，PMPB14XNX 在设计上具备较高的耐用性和稳定性，具有良好的雪崩能量承受能力，能够有效应对突发的电压和电流应力，从而提高系统的稳定性和寿命。

应用

PMPB14XNX 主要用于需要高效率、高电流开关能力的功率电子系统中。其典型应用包括同步整流型DC-DC转换器、负载开关、马达驱动电路、电池管理系统（BMS）以及各种电源管理模块。在汽车电子领域，该器件常用于车载充电器、DC-DC转换器以及车身控制系统中的电机和继电器驱动。此外，PMPB14XNX 也广泛应用于工业自动化设备、消费类电子产品和通信电源模块中，作为高效开关元件使用。