PMPB14R0EPX 时间：2025/9/14 13:39:04 阅读：31

PMPB14R0EPX 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道功率MOSFET，采用先进的TrenchFET技术，具备低导通电阻和高效率的特性。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备等场景，其封装形式为DFN5x6，具备良好的热性能和空间利用率，适合高密度设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：150V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：30A
　　导通电阻(RDS(on))：14mΩ @ VGS=10V
　　栅极电荷(Qg)：42nC
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装：DFN5x6

特性

PMPB14R0EPX MOSFET采用了先进的TrenchFET技术，确保了极低的导通电阻（RDS(on)）和高效的开关性能。在VGS=10V时，RDS(on)仅为14mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）为42nC，支持快速开关操作，从而减少开关损耗，适用于高频应用。漏源电压额定值为150V，栅源电压范围为±20V，具备良好的耐压能力和稳定性。
　　该MOSFET采用DFN5x6封装，具有较小的封装尺寸和优异的散热性能，适用于高功率密度和空间受限的设计。其工作温度范围为-55°C至175°C，能够在严苛环境下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用。PMPB14R0EPX还具备低栅极漏电流和良好的热稳定性，减少了器件在高温下的性能退化，提高了长期运行的可靠性。

应用

PMPB14R0EPX 主要应用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括服务器和电信设备的电源模块、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及电机驱动电路。由于其具备高电流能力和低导通电阻，该器件特别适用于需要高效率和低功耗的电源设计。此外，其DFN5x6封装形式使其适合用于空间受限的高密度PCB布局，如笔记本电脑、平板电脑和嵌入式系统。在汽车电子领域，PMPB14R0EPX可用于车载充电器、车身控制模块和电动助力转向系统等应用，满足汽车级工作温度和可靠性要求。