PMPB14R0EP是一种功率MOSFET晶体管,由STMicroelectronics生产。该器件设计用于高效率、高功率密度的应用,例如电源转换器、DC-DC转换器、电机控制以及各种需要高电流和高电压能力的工业应用。PMPB14R0EP采用先进的MOSFET技术,具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性等优点。
类型:N沟道
漏极电流(ID):140A
漏极-源极电压(VDS):25V
栅极-源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):最大值为4.5mΩ(在VGS=10V时)
封装类型:PowerFLAT 5x6
工作温度范围:-55°C至175°C
PMPB14R0EP的主要特性包括低导通电阻,这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。该器件具有高电流处理能力,能够支持高达140A的漏极电流,适用于高功率应用。其高耐压能力(25V VDS)使其能够在较高的电压下可靠工作。PMPB14R0EP的封装形式为PowerFLAT 5x6,这种封装提供了良好的热性能和空间利用率,适合在紧凑型设计中使用。
此外,PMPB14R0EP具有良好的热稳定性和高可靠性,能够在恶劣的工作环境中长时间运行。该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗,从而进一步提高能效。由于其卓越的性能指标,PMPB14R0EP广泛应用于现代电力电子系统中,特别是在需要高效率和高性能的场合。
PMPB14R0EP常用于电源管理系统,如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电机驱动电路。在服务器电源、电信设备、工业自动化系统和消费类电子产品中,PMPB14R0EP都能发挥重要作用。此外,它还适用于电池管理系统和高功率LED照明驱动器。
PMPB14R0EP的替代型号包括PMPB130EPR、PMPB150XPER和PMPB12R0EP。