PMPB13XNE 时间：2025/8/2 7:20:09 阅读：15

PMPB13XNE 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种电子设备中的电源管理和功率开关应用。该器件具有较低的导通电阻和较高的热稳定性，适用于高效率电源转换器、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等应用场景。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：200A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：1.3mΩ（最大值）
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

PMPB13XNE 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流应用中能够显著减少功率损耗，提高整体效率。该器件的 PowerFLAT 5x6 封装具有良好的热管理性能，能够在高功率密度设计中提供稳定的散热能力，同时减小电路板的占用空间。
　　此外，PMPB13XNE 采用了先进的沟槽栅极技术，使其具备快速开关性能，降低了开关损耗，并提高了动态响应能力。这对于需要高频操作的应用（如同步整流器和DC-DC转换器）至关重要。
　　该 MOSFET 具有高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，从而提高系统的可靠性和耐用性。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C）确保了其在极端环境条件下的稳定性和性能。
　　为了确保安全运行，PMPB13XNE 还具有较高的栅极电压容限（±20V），允许在不同驱动条件下保持稳定的性能。这使其在设计中能够与多种驱动器兼容，而无需额外的保护电路。

应用

PMPB13XNE 主要应用于需要高效功率管理和高电流处理能力的电子产品中。常见的应用场景包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关和电源分配系统。
　　在 DC-DC 转换器中，PMPB13XNE 的低导通电阻和快速开关特性可显著提高转换效率，同时减小电路尺寸，适用于笔记本电脑、服务器电源和通信设备等对空间和效率要求较高的系统。
　　在电池管理系统中，该 MOSFET 可用于控制电池充放电路径，提供高效的能量传输和精确的电流控制。其高热稳定性和耐久性也使其适用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的电池管理系统。
　　在电机驱动器中，PMPB13XNE 的高电流承载能力和快速响应特性可实现高效的电机控制，适用于工业自动化设备、机器人和电动工具等领域。