时间：2025/9/14 22:59:46
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PMPB13XNE,115 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用Trench工艺，适用于高效率电源转换和功率开关应用。该器件采用小型DFN2020封装（2x2mm），具有低导通电阻、优良的热性能和高功率密度的特点，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等需要高效率和小尺寸设计的应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：4.3A
导通电阻（RDS(on)）：22mΩ（在VGS=4.5V时）
功率耗散（PD）：1.4W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装：DFN2020（2x2mm）
PMPB13XNE,115 的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)）仅为22mΩ，这在低电压功率转换应用中至关重要，因为它可以显著降低导通损耗并提高系统效率。
其次，该MOSFET采用先进的Trench结构技术，能够在保持小型封装的同时提供较高的电流承载能力。其20V的漏源电压额定值使其适用于多种低压功率管理应用，如便携式设备电源管理、电池供电系统以及DC-DC转换器。
此外，PMPB13XNE,115 具有优良的热性能，DFN2020封装设计有助于快速散热，从而提高器件在高负载条件下的稳定性和可靠性。其栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至10V的栅极驱动，便于与各种驱动电路兼容。
该器件还具备良好的开关性能，具有较低的输入电容（Ciss）和较小的开关损耗，适合高频开关应用，从而进一步提升整体系统效率。同时，其较高的雪崩能量耐受能力也增强了在突发负载变化或异常工作条件下的稳定性。
由于其小型化设计和高性能特性，PMPB13XNE,115 非常适合用于空间受限的设计，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网（IoT）设备等。
PMPB13XNE,115 广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。其典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）中的充放电控制、电源多路复用器以及电机驱动电路等。
在便携式电子设备中，该MOSFET常用于高效能电源模块，以提升电池续航能力并减小电路板面积。在工业控制系统中，它可用于驱动继电器、LED照明、传感器模块等低功率负载。
此外，由于其良好的热性能和高效率，PMPB13XNE,115 也常用于汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块、电动助力转向系统（EPS）中的低边开关等场景。
在物联网（IoT）设备中，该器件可作为高效能开关，实现对无线模块、传感器或其他外围设备的电源管理，优化整体功耗表现。
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