PMPB12EP 时间：2025/9/13 20:26:24 阅读：13

PMPB12EP是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换应用。该器件采用先进的MESH OVERLAY?技术，提供了优异的导通电阻（Rds(on)）性能和开关特性，适用于诸如DC-DC转换器、电源管理模块、负载开关以及工业控制电路等场景。该MOSFET封装为PowerFLAT 5x6，具备良好的热管理和空间节省能力，适合高密度电子设备的设计。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏-源电压（VDS）：100V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：@VGS=10V时最大为12.8mΩ，@VGS=4.5V时最大为19mΩ
　　最大功耗（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6

特性

PMPB12EP具备多项优异的电气和物理特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。这在高电流应用中尤为重要，因为它有助于降低发热，提升系统稳定性。
　　其次，该MOSFET支持较高的栅极电压（±20V），增强了其在不同驱动条件下的适用性，并提高了器件的可靠性。此外，该器件采用了先进的MESH OVERLAY?技术，优化了电场分布，从而增强了器件的耐压能力，使其在高电压环境下依然能够稳定工作。
　　再者，PMPB12EP的封装形式为PowerFLAT 5x6，这种封装不仅具有良好的散热性能，还支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和提高PCB布局的灵活性。由于其紧凑的封装设计，特别适合对空间有严格要求的应用场景，如笔记本电脑、服务器电源、工业控制模块等。
　　此外，PMPB12EP具有宽广的工作温度范围（-55°C至175°C），能够在极端环境下稳定运行，适用于工业级和汽车电子系统中常见的高温或低温工作条件。

应用

PMPB12EP广泛应用于各种需要高效功率转换与控制的系统中。在电源管理领域，它常用于同步整流DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）等。由于其低导通电阻和良好的热性能，它在服务器电源、通信设备电源模块、工业自动化设备中被广泛采用。
　　此外，PMPB12EP也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、DC-AC逆变器以及车身控制模块。其高可靠性和宽温度范围使其成为汽车环境中的理想选择。
　　在消费类电子产品中，如高性能笔记本电脑、平板电脑和智能电源管理设备中，PMPB12EP也能提供高效的功率控制方案，帮助延长设备的续航时间并提升整体能效。