时间：2025/9/14 6:24:57
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PMPB08R4VPX是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频率开关应用。该器件采用先进的技术，提供卓越的性能和可靠性，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A（在Tc=25℃时）
功耗（Ptot）：100W
导通电阻（Rds(on)）：4.8mΩ（典型值，Vgs=10V）
封装类型：PowerFLAT 5x6
PMPB08R4VPX具备低导通电阻，确保在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，提高整体系统效率。
该MOSFET采用先进的沟槽式栅极技术，提供更快的开关速度，有助于降低开关损耗，适用于高频开关电源和同步整流应用。
其封装设计优化了热性能，使得器件在高功率密度环境下能够有效散热，从而提高长期运行的可靠性。
此外，该器件具有较高的栅极绝缘强度，支持±20V的栅源电压范围，增强了在复杂电磁环境中的抗干扰能力。
由于其低栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），PMPB08R4VPX在硬开关和软开关电路中均表现出色，有助于提高系统的动态响应和稳定性。
它还具备良好的短路耐受能力，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。
PMPB08R4VPX常用于各种电源转换系统，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流模块、负载开关和电池管理系统。
在汽车电子中，它适用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等高要求环境。
同时，该器件也适用于服务器电源、通信设备电源、工业电机驱动和智能电网相关设备。
STL08N3LLH5
