时间：2025/9/14 12:43:23
阅读：11
PMP4201Y,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于中高功率应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适合用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器以及电机控制等场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 Vds：40 V
栅源电压 Vgs：±20 V
连续漏极电流 Id：5.3 A
功耗 PD：100 W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220AB
导通电阻 Rds(on)：最大 0.055 Ω @ Vgs = 10 V
PMP4201Y,115 采用 Nexperia 的 TrenchMOS 技术，具备非常低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。
其 40V 的漏源电压额定值使其适用于多种中压功率应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统和电机驱动器。
该器件具有高雪崩能量承受能力，增强了在瞬态电压冲击下的稳定性与可靠性。
此外，PMP4201Y,115 采用了标准 TO-220AB 封装，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路，便于设计和集成。
在汽车电子、工业控制、消费类电源等领域，PMP4201Y,115 都具备良好的适用性和稳定性。
PMP4201Y,115 广泛应用于各类功率电子系统中，包括但不限于：
? 开关电源（SMPS）
? DC-DC 升压/降压转换器
? 电机驱动与控制电路
? 负载开关与电源管理模块
? 电池供电设备（如便携式电源、UPS）
? 工业自动化控制系统
? 汽车电子系统（如车载充电器、LED 驱动）
IRFZ44N, STP55NF06, FDP6N40, PMP4201AY,115
