时间：2025/9/14 0:48:20
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PMP4201G,135 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能。该器件广泛用于需要高效能和低功耗的电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电源管理单元（PMU）中。该 MOSFET 采用小型化的 LFPAK56 封装（也称为 Power-SO8），具有良好的散热性能和高电流承载能力。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：110A
导通电阻 Rds(on)：最大 2.2mΩ @ Vgs=10V
导通电阻温度系数：正温度系数
栅极电荷 Qg：典型值 58nC
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装：LFPAK56（表面贴装）
PMP4201G,135 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。由于采用了先进的 Trench 工艺，该器件在性能和尺寸之间取得了良好的平衡，同时具备优异的热稳定性和可靠性。
此外，该 MOSFET 具有较高的电流承载能力，在 25°C 下可承受高达 110A 的连续漏极电流，适合用于高功率密度的设计。栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高整体系统的响应速度和能效。
其 LFPAK56 封装不仅具有优良的散热性能，而且适合自动化生产，便于实现高密度 PCB 布局。这种封装形式也支持双面散热，从而进一步提升器件在高负载条件下的稳定性。
工作温度范围宽达 -55°C 至 175°C，使其适用于各种恶劣环境条件下的应用，包括汽车电子、工业自动化和通信设备等。
PMP4201G,135 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
? DC-DC 转换器和同步整流器，用于提高转换效率并减小电路体积。
? 电池管理系统（BMS），作为高效率的功率开关元件，用于控制充放电路径。
? 电动工具、无人机和电动车等便携式设备的电源管理系统。
? 负载开关电路，用于实现对不同电源域的高效控制。
? 服务器和通信设备中的电源模块，提供高可靠性和高效率的功率转换。
PMP4201G,115
IPD90N03S4-03
PMV48XP
