PMN55LN 时间：2025/12/28 14:24:43 阅读：12

PMN55LN 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的电子设备中。该器件采用先进的技术制造，具有低导通电阻、高电流容量和优异的热性能，适用于多种电源管理和功率转换应用。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：55V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：160A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

PMN55LN 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 3.5mΩ。这种低电阻特性可以显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该 MOSFET 的连续漏极电流高达 160A，使其适用于高电流应用。
　　该器件具有高达 ±20V 的栅源电压能力，能够在较宽的电压范围内稳定工作。同时，PMN55LN 的最大漏源电压为 55V，适合中高压功率转换应用。
　　PMN55LN 采用了先进的封装技术，具有优异的热管理性能，能够在高功率密度环境下保持良好的散热效果。其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适用于严苛的工业和汽车应用环境。
　　此外，该 MOSFET 具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高系统的响应速度。其高可靠性和长寿命也使其成为许多关键应用中的首选器件。

应用

PMN55LN 主要应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电动汽车充电系统以及工业自动化设备等。该器件的高电流能力和低导通电阻特性使其非常适合用于高效率的电源转换和功率控制电路。
　　在 DC-DC 转换器中，PMN55LN 可以作为主开关器件，提供高效率的电压转换。在电机驱动器中，该 MOSFET 可以实现高速开关控制，提高电机的响应速度和效率。
　　此外，PMN55LN 还可用于电池管理系统中的充放电控制电路，确保电池组的安全运行和高效能量管理。在电动汽车充电系统中，该器件可以用于主功率开关，提供高可靠性和高效的电能转换。
　　工业自动化设备中，PMN55LN 可用于高功率密度的电源模块和控制电路，提供稳定的功率输出和高效的能量管理。