PMN40ENA 时间：2025/8/28 14:17:49 阅读：13

PMN40ENA 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源管理应用而设计，具有低导通电阻（Rds(on)）和良好的热稳定性，适用于DC-DC转换器、电源开关、负载管理以及电机控制等多种功率电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　最大漏源电压（VDS）：40V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大28mΩ（在VGS=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：30nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

特性

PMN40ENA具有低导通电阻特性，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽式技术，提供了优异的开关性能，有助于减少开关损耗。
　　其封装形式为PowerFLAT 5x6，具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，适合高密度PCB布局。
　　此外，PMN40ENA具有较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作，提高系统的可靠性。
　　器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许使用标准的驱动电路进行控制。
　　由于其快速开关特性和低Qg参数，使得该器件在高频开关应用中表现出色，适用于高频率DC-DC转换器和同步整流电路。
　　该MOSFET还具备良好的温度稳定性，确保在不同工作环境下性能保持一致。

应用

PMN40ENA广泛应用于各类电源管理系统，包括同步整流型DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统。
　　该器件也常用于工业自动化设备、电机控制模块以及电池供电设备中的功率开关控制。
　　此外，PMN40ENA适用于需要高效能和紧凑设计的消费类电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能电源管理模块。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，该MOSFET也可作为关键的功率开关元件使用。