时间：2025/9/13 22:32:01
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PMN30XPEA 是一款由 STMicroelectronics 生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和负载开关应用。该器件采用先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高可靠性，适用于多种低电压高电流的应用场景。
类型：P 沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：-8A（在 25°C 时）
导通电阻（RDS(on)）：典型值 28mΩ（在 VGS = -10V 时）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：PowerFLAT 5x6（DFN 封装）
功耗（PD）：2.5W（在 25°C 时）
栅极电荷（Qg）：12nC（典型值）
PMN30XPEA 具有多个关键特性，使其适用于广泛的电源管理应用。首先，其低导通电阻可以有效降低导通损耗，提高系统的整体效率。其次，该器件采用先进的沟槽栅技术，使得导通电阻与栅极电荷之间的平衡更加优化，从而在开关性能和导通损耗之间取得良好的折中。此外，PMN30XPEA 的最大漏源电压为 30V，能够承受较高的电压应力，适用于中低电压应用，如电池供电设备、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动电路。
该 MOSFET 的栅源电压范围为 ±20V，具有较强的抗过压能力，确保在各种工作条件下稳定运行。其封装形式为 PowerFLAT 5x6（DFN 封装），具有良好的热性能和空间利用率，适用于高密度 PCB 设计。同时，PMN30XPEA 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应各种恶劣环境下的稳定运行，适用于工业控制、汽车电子等高可靠性要求的场景。
此外，该器件的栅极电荷较低（典型值为 12nC），有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能表现。这使其特别适用于需要快速开关响应的高频 DC-DC 转换器和同步整流器应用。
PMN30XPEA 主要应用于电源管理系统，包括电池供电设备中的负载开关、DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率开关。此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块和 LED 照明驱动电路。由于其良好的热性能和高可靠性，它也可用于需要紧凑设计和高效能表现的消费类电子产品中。
PMN30XP, PMN30XPE, PMN30XPEY
