时间：2025/9/14 12:10:42
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PMN30XPAX是一款由Nexperia（安世半导体）生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于各种高边开关和负载管理应用，尤其是在需要低导通电阻和高效率的场合。PMN30XPAX采用先进的Trench MOSFET技术，提供优异的电气性能和热稳定性。其封装形式为SOT457（也称为TSOP6），适用于表面贴装工艺，便于在紧凑的PCB设计中使用。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-5.4A（在VGS=10V时）
导通电阻（RDS(on)）：最大55mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT457（TSOP6）
PMN30XPAX具有低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件的栅极电荷（Qg）较低，适用于高频开关应用，减少开关损耗。此外，其P沟道结构使其非常适合用于高边开关电路，如电源管理系统、电池供电设备和DC-DC转换器。
该MOSFET具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在严苛的工作条件下保持稳定性能。其封装形式符合RoHS标准，适用于环保型电子产品制造。
PMN30XPAX还具备快速开关能力，适用于需要快速响应的控制电路。其低阈值电压（VGS(th)）确保了在较低的栅极驱动电压下仍能可靠导通，提高了设计的灵活性。
PMN30XPAX广泛应用于各类便携式电子设备、电源管理系统、负载开关、电池供电系统、DC-DC转换器以及工业控制系统。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于需要高效能和低功耗的应用场景。此外，PMN30XPAX还可用于汽车电子系统、LED照明控制以及电机驱动电路。
SI4435DY-T1-GE3
FDC6303N
NDS355AN
