时间：2025/9/14 16:14:24
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PMN30UNX 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）和高开关性能。该器件适用于需要高效率和高性能的电源管理系统，广泛用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电源管理模块等应用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：30 A（在 VGS = 10 V）
漏源电压（VDS）：30 V
栅源电压（VGS）：±20 V
导通电阻（RDS(on)）：最大 7.5 mΩ（在 VGS = 10 V）
栅极电荷（Qg）：约 38 nC（典型值）
封装类型：PowerPAK SO-8 双面散热封装
PMN30UNX 具备多项优异特性，包括低导通电阻、高电流处理能力以及优异的热性能。其采用的 PowerPAK SO-8 封装支持双面散热，有助于提高器件在高功率密度应用中的散热效率。此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（如 5V 或 10V），便于与各种驱动电路集成。
该器件在高频开关应用中表现出色，具备低开关损耗和快速响应能力，适用于高频 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等场合。其高耐用性和稳定性也使其适合在恶劣环境下使用，如汽车电子和工业控制系统。
PMN30UNX 还具有良好的抗雪崩能力和较高的可靠性，能够在瞬态过载条件下保持稳定运行，适用于对系统稳定性要求较高的电源设计。
PMN30UNX 广泛应用于各类电源管理系统，包括但不限于同步降压和升压转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其出色的导通性能和散热能力，该 MOSFET 特别适合用于需要高效能和高可靠性的便携式电子产品、服务器电源和汽车电子系统中。
Si7396DP, IRF7413, FDS6680, PMN30UN, PMN40UN
