时间：2025/9/14 17:47:54
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PMN30UNEX 是一款由Rohm（罗姆）公司制造的N沟道功率MOSFET，主要用于需要高效率和高性能的应用。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高功率密度和良好的热稳定性，适用于各类功率电子设备。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
漏极电流(Id)：连续：11A
导通电阻(Rds(on))：典型值14.2mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOP-8FL
PMN30UNEX 具有低导通电阻特性，可显著降低导通损耗，提高系统效率。其先进的沟槽式MOSFET结构确保了优异的电流处理能力，并且具备良好的热管理性能，从而提升了器件的可靠性。
此外，该MOSFET的栅极设计支持快速开关操作，减少了开关损耗，非常适合用于高频率工作环境。其SOP-8FL封装不仅节省空间，而且具有良好的散热性能，适合用于紧凑型电子设备。
该器件还具备较高的耐用性，能够承受较高的瞬态电流和温度变化，适用于严苛的工作环境。内置的静电放电（ESD）保护功能也增强了器件的稳定性和使用寿命。
PMN30UNEX 主要应用于以下领域：电源管理模块，例如DC-DC转换器、同步整流器；负载开关和电源开关控制；电机驱动电路；电池管理系统；以及各类高效率功率转换设备。由于其优异的电气特性和封装设计，它也广泛用于汽车电子、工业自动化和消费类电子产品中。
SiSS14DN, BSC010N04LS5, FDS6680
