时间：2025/5/7 14:17:13
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PMN28UN是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用先进的制造工艺以提供低导通电阻和高效率。该器件通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用中，能够有效减少能量损耗并提升系统的整体性能。
PMN28UN属于N沟道增强型MOSFET，其特点是具有非常低的导通电阻(Rds(on))，能够在高频工作条件下保持高效表现。此外，它还具备出色的热稳定性和耐雪崩能力，使其在严苛的工作环境中也能够可靠运行。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：41A
导通电阻：1.5mΩ
总功耗：75W
结温范围：-55℃ to 175℃
封装形式：TO-263
PMN28UN具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，仅为1.5mΩ，这有助于显著降低导通损耗。
2. 高电流处理能力，最大支持41A连续漏极电流，适用于大功率应用场景。
3. 良好的热性能，可以承受高达175℃的结温，确保在高温环境下的可靠性。
4. 快速开关速度，减少开关损耗，提高工作效率。
5. 强大的雪崩能力，能够保护器件免受瞬态电压的影响。
6. 小巧紧凑的TO-263封装，便于集成到各种设计中。
PMN28UN广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源(SMPS)，如适配器和充电器中的功率级元件。
2. DC-DC转换器，用于电压调节和功率传输。
3. 电机驱动电路，控制电机的速度和方向。
4. 负载开关，用于动态管理不同负载的供电状态。
5. 电池管理系统(BMS)，用于保护和监控电池组的充放电过程。
这些应用都得益于PMN28UN的高效能和高可靠性。
IRLZ44N
AO3400
FDP5500
