PMN280ENEAX 时间：2025/9/14 14:32:22 阅读：24

PMN280ENEAX 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的低压 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和负载开关等场景。该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点，适用于中低功率应用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：10 A（在 25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：28 mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Ptot）：48 W（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOT-404（LFPAK）

特性

PMN280ENEAX 具备多项优异特性，使其在电源管理和负载开关应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统整体效率。其次，该器件采用了先进的 Trench MOSFET 技术，使得在有限的封装尺寸下仍能保持良好的热性能和电气性能。
　　该 MOSFET 的工作电压范围较宽，支持高达 30V 的漏源电压（Vds），适用于多种低压电源系统。其栅极驱动电压范围宽（最大 ±20V），具备较强的抗干扰能力和稳定性。此外，PMN280ENEAX 的封装形式为 LFPAK（SOT-404），该封装具有良好的热导性能，有助于提高器件在高负载条件下的可靠性。
　　在热性能方面，PMN280ENEAX 能够在较高的环境温度下稳定工作，适应工业级温度范围（-55°C 至 150°C）。该器件还具备较高的电流承载能力，连续漏极电流可达 10A，在实际应用中能够支持多种中等功率负载的控制与切换。

应用

PMN280ENEAX 常用于电源管理系统、负载开关、DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动电路以及工业自动化控制系统等。其低导通电阻和高效率的特性使其特别适用于需要高效能、低功耗设计的便携式设备和嵌入式系统。此外，该器件也可用于汽车电子系统中的功率控制模块，如车灯控制、电动座椅调节、车载充电器等应用场景。