时间：2025/8/2 6:56:32
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PMN27XPEA 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高功率密度的电力电子应用设计。这款MOSFET采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于各种电源管理、电机控制、电池管理系统（BMS）、工业自动化以及新能源系统等应用领域。PMN27XPEA 通常采用紧凑型封装，便于在高密度PCB设计中使用，并支持表面贴装技术（SMT）以提高生产效率。
类型：功率MOSFET
沟道类型：N沟道
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：180A
导通电阻（RDS(on)）：2.7mΩ @ VGS=10V
功率耗散（Ptot）：125W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
安装类型：表面贴装
PMN27XPEA 具备多项优异特性，使其在高性能功率应用中表现出色。
首先，该MOSFET的低导通电阻（RDS(on)）仅为2.7mΩ，在10V栅极驱动电压下，可显著降低导通损耗，提高系统效率，尤其适用于高电流应用场景，如DC-DC转换器、同步整流和电机驱动电路。
其次，该器件支持高达180A的连续漏极电流，能够承受较大的负载电流，适用于大功率系统设计。其高电流承载能力结合良好的热管理性能，使得PMN27XPEA在高温环境下依然保持稳定工作。
此外，PMN27XPEA采用先进的PowerFLAT 5x6封装技术，具有优异的散热性能和紧凑的外形尺寸，适用于空间受限的高密度PCB设计。该封装支持双面散热，有助于进一步提升散热效率。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或电感负载切换时提供更高的可靠性。其栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的12V和10V驱动电路，确保在不同控制方案中的稳定运行。
最后，PMN27XPEA的工作温度范围宽达-55°C至+175°C，适应各种严苛的工业和汽车应用环境，具备较高的可靠性和长期稳定性。
PMN27XPEA 广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中。
在电源管理系统中，该MOSFET可用于高性能DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，以实现高效率和低损耗的电能转换。其高电流能力和低导通电阻使其在电池供电设备和储能系统中尤为适用。
在电机控制方面，PMN27XPEA适用于直流电机驱动、伺服控制系统和工业自动化设备中的H桥电路，提供快速开关和低损耗操作，提高系统响应速度和效率。
在新能源系统中，该器件可用于太阳能逆变器、储能系统和电动汽车（EV）的电池管理系统（BMS），支持高电流充放电和高效能管理。
此外，PMN27XPEA还可用于服务器电源、通信设备电源模块、LED照明驱动器以及工业自动化控制系统中的高边或低边开关应用，提供可靠的功率控制解决方案。
STL180N3LLFAG, IPP180N10N3G, IPD180N10N3G
