时间：2025/9/14 6:04:57
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PMN25ENEX 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效能电源管理系统和功率开关应用。该器件采用了先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)）和快速的开关性能，适用于各种工业、汽车和消费类电子设备。
类型: N 沟道 MOSFET
漏极电流 (ID): 15A
漏源电压 (VDS): 25V
栅源电压 (VGS): ±20V
导通电阻 RDS(on): 最大 22 mΩ（在 VGS = 10V）
功率耗散 (PD): 30W
工作温度范围: -55°C ~ +175°C
封装类型: PowerFLAT 5x6
PMN25ENEX 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得在高电流条件下能够保持较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。此外，该器件具有较高的电流承受能力和热稳定性，适用于需要高可靠性和稳定性的应用场合。
该 MOSFET 采用了先进的沟槽结构，优化了开关速度和导通性能之间的平衡，有助于减少开关损耗，提高系统的能效。同时，PMN25ENEX 的封装形式为 PowerFLAT 5x6，具备良好的散热性能，适合高密度 PCB 设计。
PMN25ENEX 还具有良好的栅极电荷特性（Qg），这有助于降低驱动电路的负载并加快开关速度。其栅源阈值电压（VGS(th)）典型值为 1.5V，确保在低电压控制系统中也能可靠工作。
由于其优异的电气性能和机械特性，PMN25ENEX 非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）以及各种类型的电源管理应用。其封装设计也使其易于焊接和自动化装配，适用于大规模生产和使用。
PMN25ENEX 主要应用于需要高效能功率管理的系统中，包括但不限于以下领域：
1. **电源管理模块**：如 DC-DC 转换器、稳压器、负载开关等，用于提升系统效率和稳定性。
2. **电池供电设备**：例如便携式电子产品、电动工具、无人机等，用于实现低功耗、高效率的电池管理方案。
3. **工业控制系统**：用于电机驱动、继电器替代、PLC 模块中的功率开关等。
4. **汽车电子**：如车载充电系统、电池管理系统（BMS）、车身电子控制单元（ECU）等。
5. **消费类电子产品**：包括智能手机、平板电脑、智能手表等设备中的电源管理子系统。
NDS355AN, Si2302DS, PMN25ENEA
