PMN25ENEAX 时间：2025/9/14 6:55:39 阅读：27

PMN25ENEAX 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和高性能的电源管理系统中。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等应用。PMN25ENEAX 采用紧凑的封装形式，便于在高密度电路设计中使用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 (Vds)：25 V
　　栅源电压 (Vgs)：±12 V
　　连续漏极电流 (Id)：4.2 A
　　导通电阻 (Rds(on))：36 mΩ（典型值）
　　功耗 (Ptot)：1.4 W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：DFN10

特性

PMN25ENEAX 具备多项优异特性，使其在电源管理领域中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件具有较高的电流处理能力，能够在较宽的工作温度范围内稳定工作，适用于高温环境。PMN25ENEAX 的封装设计非常紧凑，便于在空间受限的应用中使用，同时也有助于减少寄生电感，提高开关性能。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±12 V，使其能够与多种控制器和驱动器兼容。其快速开关特性有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。此外，PMN25ENEAX 的热稳定性良好，能够在高负载条件下保持可靠的性能。由于其出色的性能指标，PMN25ENEAX 非常适合用于现代电源管理系统，如 DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统以及负载开关等应用。

应用

PMN25ENEAX 主要应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。常见的应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统以及便携式电子设备的电源管理模块。由于其低导通电阻和高电流处理能力，该器件特别适用于需要高效能转换和低功耗设计的系统。此外，PMN25ENEAX 也适用于汽车电子系统、工业自动化控制、通信设备以及消费类电子产品中的电源管理部分。