PMN25ENEAX 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高效率和高性能的电源管理系统中。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和快速的开关特性,适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等应用。PMN25ENEAX 采用紧凑的封装形式,便于在高密度电路设计中使用。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 (Vds):25 V
栅源电压 (Vgs):±12 V
连续漏极电流 (Id):4.2 A
导通电阻 (Rds(on)):36 mΩ(典型值)
功耗 (Ptot):1.4 W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:DFN10
PMN25ENEAX 具备多项优异特性,使其在电源管理领域中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))有助于降低导通损耗,提高系统的整体效率。此外,该器件具有较高的电流处理能力,能够在较宽的工作温度范围内稳定工作,适用于高温环境。PMN25ENEAX 的封装设计非常紧凑,便于在空间受限的应用中使用,同时也有助于减少寄生电感,提高开关性能。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±12 V,使其能够与多种控制器和驱动器兼容。其快速开关特性有助于减少开关损耗,适用于高频开关应用。此外,PMN25ENEAX 的热稳定性良好,能够在高负载条件下保持可靠的性能。由于其出色的性能指标,PMN25ENEAX 非常适合用于现代电源管理系统,如 DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统以及负载开关等应用。
PMN25ENEAX 主要应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。常见的应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统以及便携式电子设备的电源管理模块。由于其低导通电阻和高电流处理能力,该器件特别适用于需要高效能转换和低功耗设计的系统。此外,PMN25ENEAX 也适用于汽车电子系统、工业自动化控制、通信设备以及消费类电子产品中的电源管理部分。
PMN25ENEAR、PMN25ENX、PMN25ENX-T