PMN25EN 时间：2025/8/2 7:22:07 阅读：28

PMN25EN 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于中高功率的电源管理和功率控制应用。该器件采用了先进的平面工艺技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及各种开关电源电路中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：25V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：4.4A
　　脉冲漏极电流（IDM）：17A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.045Ω @ VGS = 10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-92、SOT-23、SOT-223、DFN等

特性

PMN25EN 具备多项优异的电气特性和物理性能。
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）使得在高电流工作条件下能够显著降低导通损耗，从而提高整体系统效率。
　　其次，该MOSFET具有较高的开关速度，适用于高频开关应用，有助于减小外围电路的尺寸和重量。
　　此外，PMN25EN 还具备良好的热稳定性和较高的热阻能力，能够在高温环境下稳定运行，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车应用。
　　其栅极驱动电压范围适中（±12V），与常见的PWM控制器和驱动器兼容，便于设计和集成。
　　同时，该器件提供多种封装选项，适应不同的散热需求和PCB布局要求。

应用

PMN25EN 主要应用于以下领域：
　　在电源管理方面，常用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电池充电和管理系统中。
　　在电机控制领域，可用于小型电机的驱动电路，提供高效的开关控制。
　　此外，该器件也广泛用于工业自动化设备、消费类电子产品、便携式设备以及汽车电子系统中的功率控制模块。
　　由于其封装形式多样，特别适用于空间受限的高密度电路设计，例如LED照明驱动、传感器电源模块和低功率逆变器等应用场景。