时间：2025/9/14 0:00:22
阅读：26
PMN230ENEX是一款由STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型MOSFET。该器件专为高效能和高可靠性应用设计，适用于各种电源管理与功率转换场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：5.8A
漏源电压（VDS）：200V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω @ VGS=10V
功率耗散（PD）：32W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
晶体管配置：单
PMN230ENEX具有低导通电阻，从而减少了在高电流应用中的功率损耗，提高了整体效率。其高耐压能力（200V）使其适用于高压电源系统。此外，该器件采用了先进的平面条形技术，提供了卓越的稳定性和耐用性。
该MOSFET具有较高的热稳定性，能够承受较大的工作温度变化，适用于严苛的工业环境。其TO-220封装形式便于安装和散热管理，适用于多种功率电子设备的设计。
PMN230ENEX的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，简化了与控制器的接口设计。其出色的开关性能和低栅极电荷（Qg）有助于实现高频操作，提高系统的响应速度和效率。
PMN230ENEX广泛应用于各种电力电子系统，如直流-直流转换器、电机驱动器、电源供应器和电池管理系统。其高耐压和低导通电阻特性使其成为工业自动化、汽车电子和消费类电子产品的理想选择。
在工业领域，PMN230ENEX可用于变频器、伺服驱动器和不间断电源（UPS）系统，以提供高效稳定的功率控制。在汽车应用中，它可被用于车载充电器、电动助力转向系统和电池管理系统等关键部件。
此外，PMN230ENEX还适用于家用电器中的功率控制电路，如智能电饭煲、空气净化器和变频空调等。其高可靠性和热稳定性确保了设备在长时间运行中的稳定性和安全性。
STP55NF06, IRF540N, FQP50N06L
