时间：2025/9/14 13:21:26
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PMN230ENEAX是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的射频（RF）功率晶体管，属于LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术的高功率射频晶体管系列。该器件设计用于在高频应用中提供高功率和高效率，常见于蜂窝基站、广播系统和工业射频设备中。
类型：LDMOS RF功率晶体管
封装类型：表面贴装（Surface Mount）
频率范围：2.3 GHz - 2.7 GHz
最大输出功率：约50 W（典型值）
工作电压：28 V
增益：约18 dB
效率：超过60%
输入驻波比（VSWR）：< 2.5:1
热阻（Rth）：约1.2°C/W
PMN230ENEAX具有优异的热性能和高可靠性，适合在高功率和高温环境下运行。其表面贴装封装设计支持自动化生产，提高了生产效率并减少了PCB布局空间。此外，该器件在2.3 GHz至2.7 GHz频段内提供了高增益和高效率，适用于多载波和宽带通信系统。其高输入阻抗特性降低了驱动电路的设计复杂性，同时具备出色的线性度和稳定性。
这款晶体管还支持多种调制技术，包括GSM、WCDMA和LTE，使其在现代无线通信基础设施中具有广泛的适用性。另外，PMN230ENEAX的高耐用性和抗失真能力，使其在高功率应用中表现优异。
PMN230ENEAX广泛应用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、中继器和微波通信设备。它也适用于广播系统（如DVB-T和FM广播）以及工业和医疗射频设备。此外，由于其出色的高频性能和高效率，该器件常用于需要高输出功率的测试和测量设备。
MRF6V20100AN, AFT05MP07GN
