时间：2025/8/2 7:13:39
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PMN22XN 是一款由 Nexperia（安世半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等应用。该器件采用先进的 Trench MOS 工艺，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和良好的热稳定性，适合在高效率、高功率密度的电路设计中使用。PMN22XN 采用标准的 SOT223 封装，便于安装和散热管理。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(VDS)：20V
栅极-源极电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：4.8A（在25°C）
导通电阻(RDS(on))：最大45mΩ（在VGS=10V时）
栅极电荷(Qg)：9.5nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装：SOT223
PMN22XN 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，具备出色的导通性能和热稳定性。其最大导通电阻（RDS(on)）仅为 45mΩ，在 VGS=10V 的条件下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件在高电流负载下仍能保持较低的温升，适合用于高效率 DC-DC 转换器、同步整流器和电池管理系统。
该 MOSFET 具有较低的栅极电荷（Qg）为 9.5nC，有助于降低开关损耗，提高开关速度，适合用于高频开关应用。其栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 10V 的驱动电压，兼容多种标准驱动电路。
PMN22XN 采用 SOT223 封装，具有良好的散热性能，适合在紧凑型电源设计中使用。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，能够在恶劣的工业环境中稳定运行。该器件符合 RoHS 标准，适用于环保和高可靠性要求的应用场景。
此外，PMN22XN 还具备较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下提供一定的保护能力，适用于需要高可靠性的电源系统。
PMN22XN 广泛应用于各类电源管理系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统。其低导通电阻和高效率特性使其特别适用于便携式电子设备、工业自动化控制系统、LED 驱动电源以及电源管理模块。此外，该器件也可用于汽车电子系统中的低电压功率控制电路。
PMN23XN, PMN24XN, BSS138, 2N7002
