PMN120ENEX 时间：2025/9/14 3:47:15 阅读：8

PMN120ENEX 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换系统中。该器件采用先进的沟槽栅极技术，提供出色的导通电阻（RDS(on)）性能和快速开关特性。PMN120ENEX 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制等应用场景。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：3.2mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：88nC（典型值）
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

PMN120ENEX MOSFET 具备多项高性能特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统的能效，尤其适用于高电流应用场景。其次，该器件采用先进的沟槽栅极设计，提高了开关速度，从而减少开关损耗，提升系统的工作频率能力。此外，该 MOSFET 支持高电流承载能力，在 30V 的漏源电压下可稳定运行，适用于多种中低压功率转换应用。其 PowerFLAT 5x6 封装提供了优良的热管理和空间利用率，适合高密度 PCB 设计。另外，PMN120ENEX 的栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V 至 20V），便于与多种控制器或驱动 IC 兼容。该器件还具备较高的抗雪崩能力和良好的短路耐受性，增强了在严苛工况下的可靠性。

应用

PMN120ENEX 常用于多种电源管理系统和功率电子设备中。典型应用包括同步整流的 DC-DC 转换器、负载开关电路、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、服务器和电信设备的电源模块，以及汽车电子中的功率控制单元。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适用于需要高效率和紧凑设计的场合。此外，在需要快速开关响应的逆变器和电源管理单元中，PMN120ENEX 也表现出色。其优异的热性能和稳定性使其适用于高温环境下的持续运行，如工业自动化和嵌入式电源系统。