PML017B 时间：2025/7/23 7:44:18 阅读：15

PML017B是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的射频功率晶体管，主要用于射频放大器和功率放大器应用。该器件基于LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，提供高效率和高可靠性，适用于通信基站、广播设备和工业应用中的射频功率放大。PML017B的封装形式为双列直插式（DIP）封装，具有良好的热稳定性和机械稳定性。

参数

类型：射频功率晶体管
　　技术：LDMOS
　　最大漏极电流：17A
　　最大漏源电压：65V
　　最大栅极电压：20V
　　最大工作频率：1GHz
　　输出功率：170W（典型值）
　　增益：20dB（典型值）
　　效率：60%以上
　　工作温度范围：-65°C至+150°C

特性

PML017B采用了先进的LDMOS技术，能够在高频条件下提供高功率输出和良好的线性性能。其高效率设计降低了功耗和发热，提高了系统的可靠性和寿命。该晶体管具有出色的热管理和散热性能，适合长时间高负载运行。此外，PML017B具备良好的抗过载能力和高稳定性，适用于严苛的工作环境。其DIP封装形式便于安装和维护，同时提供了良好的机械强度和电气性能。在射频通信系统中，PML017B能够提供稳定的功率放大，满足不同应用场景的需求。
　　此外，PML017B还具备良好的匹配性能，能够在不同频率范围内实现高效放大。其高线性度和低失真特性使其在多载波通信系统中表现出色，能够有效减少互调失真，提高信号质量。同时，该器件具备良好的抗静电能力和抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中稳定工作。