PMK35EP 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关电源等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够在高频应用中提供高效率和低损耗的表现。
这款功率 MOSFET 通常用于需要高效能量转换和低功耗的场景,其出色的性能使其成为众多工业和消费类电子产品的理想选择。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:35A
导通电阻(典型值):4mΩ
总栅极电荷:45nC
开关速度:快速
封装形式:TO-220
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
PMK35EP 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻,能够显著降低传导损耗,提高系统效率。
2. 快速开关速度和低栅极电荷,适用于高频开关应用。
3. 高电流承载能力,支持高达 35A 的连续漏极电流。
4. 宽工作温度范围,适应各种严苛的工作环境。
5. 稳定性和可靠性经过严格测试,确保在长期使用中的性能一致性。
6. 兼容多种驱动电路,易于设计集成。
这些特性使得 PMK35EP 成为高功率密度应用的理想选择。
PMK35EP 可应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动器中的功率级元件。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
5. 各种工业自动化设备中的功率控制元件。
由于其高效的能量转换能力和稳定的性能表现,PMK35EP 在上述应用场景中展现出卓越的竞争力。
PMK35EPA, IRFZ44N, FDP55N06L