时间：2025/9/14 16:13:01
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PMK30EP,518 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TSSOP 封装，适用于高效率电源管理和开关应用。该器件具备低导通电阻、高开关速度以及优异的热性能，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
漏极电流（Id）：5.8A
导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ Vgs=4.5V
栅极电压（Vgs）：±12V
功率耗散（Ptot）：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TSSOP
PMK30EP,518 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs=4.5V 时仅为 28mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件还具有较高的连续漏极电流能力（5.8A），适用于中高功率的开关应用。
另一个显著特点是其高开关速度，这使得 PMK30EP,518 非常适合用于高频 DC-DC 转换器和 PWM 控制系统。其快速的开关性能有助于减少开关损耗，从而提高整体系统的能效。
此外，该 MOSFET采用 TSSOP 封装，具有良好的热性能和空间利用率，适合在高密度 PCB 设计中使用。其宽工作温度范围（-55°C 至 150°C）也确保了其在各种环境下的稳定运行。
该器件还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，增强了其在严苛工况下的可靠性。同时，其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（如 3.3V 和 5V 控制器），简化了设计和集成。
PMK30EP,518 主要应用于各类电源管理系统，如同步整流、DC-DC 降压/升压转换器、电池充电和管理系统（BMS）等。其高电流能力和低导通电阻使其成为高效电源转换的理想选择。
在工业控制领域，该器件可用于电机驱动、继电器替代以及负载开关控制，提供高效、可靠的开关功能。
此外，该 MOSFET 还适用于消费类电子产品中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑的电源管理系统和 USB PD 充电控制电路。
由于其良好的热性能和高可靠性，也适用于汽车电子系统中的 12V 和 24V 电源分配系统、车载充电器、LED 照明驱动等应用场景。
Si2302DS, AO3400A, BSS138K, FDS6675, NVTFS5C471NL
