时间：2025/9/14 6:24:21
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PMH550UNEH是一款由Rohm Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET，专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极技术，提供优异的导通电阻与开关性能平衡。PMH550UNEH广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及各种电源管理应用中。该MOSFET采用小型DFN10封装，具有良好的热性能和空间节省优势，适用于便携式设备和高密度电源系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：30V
连续漏极电流(ID)：5.5A（在VGS=10V时）
导通电阻(RDS(on))：最大45mΩ（在VGS=10V时）
栅极电荷(Qg)：9.2nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：DFN10（3.3mm x 3.3mm）
安装类型：表面贴装
功耗(PD)：2.2W
PMH550UNEH采用先进的沟槽式MOSFET技术，能够在小型封装中实现优异的电气性能。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。同时，该器件的栅极电荷较低，有利于减少开关损耗，使其适用于高频开关电源应用。PMH550UNEH的DFN10封装具备良好的散热性能，确保在高电流条件下仍能稳定工作。此外，该MOSFET具有高耐压能力和良好的热稳定性，适用于多种电源管理场景。
该器件还具备优异的抗雪崩能力和高可靠性，适合在严苛的工作环境中使用。其栅极氧化层设计增强了器件的耐用性，防止在高频开关过程中因电压尖峰而损坏。PMH550UNEH的封装材料符合RoHS标准，支持绿色环保设计。
PMH550UNEH广泛应用于各类电源管理系统中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。由于其高效率和小尺寸封装，该MOSFET特别适合用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及各种低功耗物联网设备。此外，它也可用于LED照明驱动电路、电机控制电路以及工业自动化设备中的电源模块。在汽车电子领域，PMH550UNEH可用于车载充电器、车身控制模块和电池管理系统中。
PMH550UNEH的替代型号包括SiSS550DN-T1-GE3、FDMS3610S和RQ5505DNSC。这些型号在性能参数和封装尺寸上与PMH550UNEH相近，适用于类似的电源管理应用。选择替代型号时应根据具体应用需求（如电流负载、导通电阻要求和封装空间）进行评估。
