时间：2025/9/14 3:28:02
阅读：4
PMH260UNEH是一款由Rohm Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高效率电源转换系统，如DC-DC转换器、电池管理系统和负载开关应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，有助于降低功率损耗并提高系统效率。PMH260UNEH采用紧凑型SOP（Small Outline Package）封装，适合在空间受限的电子设备中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
连续漏极电流（Id）：6A
Rds(on)（最大值）：26mΩ @ Vgs=4.5V
栅极电压范围：-12V ~ +12V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOP-8
PMH260UNEH具有多项优异的电气和物理特性，使其在低电压功率转换应用中表现出色。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。此外，该MOSFET的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，使其适用于高频开关应用。采用SOP-8封装，不仅节省空间，而且具有良好的热性能，能够有效地将热量散发出去，确保器件在高负载条件下稳定运行。
该器件的耐热性能和可靠性经过严格测试，符合AEC-Q101汽车电子标准，适用于汽车电子系统和工业控制设备。此外，PMH260UNEH具备良好的短路耐受能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行，提升了系统的安全性和稳定性。
PMH260UNEH广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统（BMS）。在汽车电子领域，该MOSFET常用于车载充电器（OBC）、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块（BCM）等关键系统中。此外，该器件还可用于工业自动化设备、便携式电子设备和智能家居控制系统等需要高效、小型功率开关的场合。
Si2302DS, FDN340P, DMN6024S
