时间：2025/9/14 23:22:21
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PMGD290UCEA 是一款由Nexperia（安世半导体）推出的高性能双极性晶体管（BJT）阵列，主要用于需要高增益和低噪声的应用。该器件采用SOT363封装，属于双晶体管配置，适合在低功耗和小型化电路设计中使用。
晶体管类型：NPN
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
最大功耗（Ptot）：200 mW
增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
频率响应：100 MHz
封装类型：SOT363
PMGD290UCEA的主要特性之一是其高增益性能，使其能够在低噪声放大器和信号处理电路中表现出色。该器件的hFE（电流增益）范围广泛，可以在不同的工作条件下提供稳定增益表现。
此外，该晶体管的SOT363封装体积小巧，适合高密度电路设计。这种封装方式也简化了表面贴装工艺，提高了生产效率。
该器件的工作温度范围较宽，通常支持-55°C至+150°C的工作环境，适合多种工业和消费类应用。
PMGD290UCEA还具有较低的基极-发射极饱和电压（VBE(sat)），这有助于降低功耗并提高能效。此外，其高频响应能力（100 MHz）使其适用于中高频放大和开关应用。
由于该器件是双晶体管阵列，可以用于差分放大器、推挽放大器以及逻辑电平转换等电路，具有较高的设计灵活性。
PMGD290UCEA常用于需要高增益、低噪声和低功耗的小型化电子系统中。典型应用包括音频放大器的前置级、射频（RF）信号放大器、模拟开关电路以及传感器信号调理电路。
在通信设备中，它可用于低噪声前置放大器和信号调制/解调电路，提供良好的信号完整性。
在工业控制领域，该晶体管可以用于驱动小型继电器、LED显示器或作为逻辑电路中的缓冲级。
此外，该器件也适合用于电池供电设备中的节能电路设计，例如便携式电子产品、无线传感器节点和智能穿戴设备。
由于其双晶体管结构，它还可以用于构建差分放大器或达林顿对管配置，以提高整体电路的增益和稳定性。
BC847B, 2N3904, PN2222A
