时间：2025/9/15 1:39:40
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PMG85XP 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）公司推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性，适用于电源管理、电机驱动、逆变器及DC-DC转换器等多种电力电子应用领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：85V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：在25℃时为100A
导通电阻(Rds(on))：最大值为3.8mΩ（典型值更低）
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
PMG85XP 具有极低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。该器件的高栅极电荷（Qg）特性允许其在较高的开关频率下工作，从而适用于高频开关电路。此外，PMG85XP 还具备优异的热管理性能，能够在高温环境下稳定运行，提升了器件的可靠性和寿命。
该MOSFET的封装形式为TO-263（D2PAK），这种表面贴装封装形式具有良好的热传导性能，便于在高功率密度应用中进行散热管理。PMG85XP 还内置了快速恢复二极管，能够有效降低反向恢复损耗，进一步提升系统的整体效率。
PMG85XP 通常用于高性能电源转换系统，例如DC-DC转换器、同步整流器、电机控制器、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率开关。由于其优异的导通特性和高可靠性，它也常被用于汽车电子系统中的高功率负载控制，如电动车的充电系统和能量管理系统。此外，在太阳能逆变器和储能系统中，PMG85XP 能够提供高效的功率转换能力，满足新能源应用的需求。
SiHF85N10P-GE3, FDPF85N10L, IRF1405
