时间：2025/6/25 9:54:29
阅读：10
PMF511816EBR-KADN 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于各种高效率开关电源、DC-DC 转换器和负载开关应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能。
这款 MOSFET 主要用于需要高效能和高可靠性的工业与消费类电子设备中，如适配器、充电器和电机驱动等。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：32A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：39nC
反向恢复时间：19ns
工作温度范围：-55℃至175℃
PMF511816EBR-KADN 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可以有效降低导通损耗，提高系统效率。
2. 快速开关性能，有助于减少开关损耗，适合高频应用。
3. 采用 DPAK 封装，提供卓越的散热能力，能够承受更高的功率密度。
4. 高雪崩能量能力，提高了器件在异常条件下的耐用性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足全球法规要求。
该功率 MOSFET 广泛应用于多种领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电池保护电路及负载开关设计。
4. 电机控制和驱动应用。
5. 各种工业自动化和汽车电子系统中的功率管理解决方案。
IRF540N
FDP55N06L
STP55NF06L
