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PMF370XN,115 发布时间 时间:2025/9/15 2:16:55 查看 阅读:13

PMF370XN,115 是一款由Nexperia(安世半导体)推出的双极型晶体管(BJT),专为高频和低噪声放大应用设计。这款晶体管采用了先进的制造工艺,具备优异的性能特性和高可靠性,适用于无线通信、音频放大、射频(RF)电路以及各种消费类电子产品中的信号处理模块。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极电流(Ic):100 mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
  最大集电极-基极电压(Vcb):30 V
  最大功耗(Ptot):300 mW
  最大工作温度:150°C
  封装类型:SOT23
  电流增益(hFE):110-800(根据等级不同)
  过渡频率(fT):100 MHz
  噪声系数(NF):3 dB(典型值)

特性

PMF370XN,115 是一款高频低噪声晶体管,具有出色的信号放大能力,适用于高灵敏度的模拟和射频应用。
  首先,这款晶体管的工作频率高达100 MHz,使其非常适合用于射频前端放大器、中频放大器以及高频信号处理电路。其过渡频率(fT)的高值确保了晶体管在高频环境下依然保持良好的增益特性。
  其次,PMF370XN,115 的噪声系数仅为3 dB左右,这意味着它在放大信号的同时能够有效地抑制噪声,从而提高信号的信噪比。这一特性使得它在音频放大器、传感器信号调理和无线接收机前端等对噪声敏感的应用中表现尤为出色。
  此外,该晶体管采用SOT23封装,体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用,同时具备良好的热稳定性和机械可靠性。其最大集电极电流为100 mA,最大集电极-发射极电压为30 V,适用于中低功率的信号放大任务。
  PMF370XN,115 的电流增益范围较宽(110-800),可根据具体电路需求选择合适的增益等级,从而实现灵活的设计优化。这种宽范围的hFE选择也提高了其在不同应用场景中的适用性。
  最后,该器件的工作温度范围宽,最高可达150°C,具备良好的热稳定性,适用于各种工业环境下的电子设备。

应用

PMF370XN,115 的应用领域广泛,尤其适用于需要高频放大和低噪声性能的电子系统。
  首先,在无线通信系统中,它可以作为射频放大器或混频器的前置放大级,用于增强微弱信号的强度,同时保持较低的噪声水平,这对于提高接收机的灵敏度至关重要。
  其次,该晶体管常用于音频放大电路,特别是在前置放大器中,能够有效放大来自麦克风或传感器的微弱信号,同时保持声音的清晰度和保真度。
  此外,PMF370XN,115 也广泛应用于模拟信号处理电路,如运算放大器的输入级、传感器信号调理电路等,其低噪声和高增益特性有助于提升整体系统的精度和稳定性。
  在消费类电子产品中,该器件也常见于便携式设备中的信号放大模块,例如蓝牙耳机、智能穿戴设备、无线遥控器等,其SOT23封装形式非常适合高密度PCB布局,有助于减小设备体积。
  工业控制和自动化系统中,PMF370XN,115 也可用于信号放大和逻辑开关应用,其稳定的工作特性和宽温度范围适应性使其在恶劣环境中依然能够可靠运行。

替代型号

BC847系列, 2N3904, MMBT3904, PN2222A

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PMF370XN,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C870mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C440 毫欧 @ 200mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs0.65nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds37pF @ 25V
  • 功率 - 最大560mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SC-70
  • 包装带卷 (TR)