时间：2025/9/15 2:47:14
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PMF280UN 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）推出的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率开关和电源管理领域。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和高电流处理能力。PMF280UN 的封装形式通常为DPAK（TO-252）或类似的表面贴装封装，使其适用于高密度PCB布局。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：200V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：8A
导通电阻（Rds(on)）：最大1.0Ω（在Vgs=10V时）
功率耗散（Ptot）：60W
工作温度范围：-55°C至+175°C
PMF280UN MOSFET 具备多项优异的电气和热性能，适合在高功率和高温环境下工作。其主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），该参数确保在高电流下仍能保持较低的功率损耗，提高系统效率。
此外，该器件的漏源电压额定值为200V，具备良好的电压耐受能力，适用于多种电源转换应用，如DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关。
PMF280UN 还采用了先进的沟槽栅极技术，优化了开关性能，降低了开关损耗，从而提高了整体能效。
其封装设计（DPAK）具有良好的热管理能力，能够有效地将热量传导到PCB上，从而减少对额外散热片的需求。这种设计有助于实现紧凑的电源系统设计。
该MOSFET还具有良好的短路耐受能力，提升了在异常工作条件下的可靠性，使其适用于工业和汽车等对稳定性要求较高的应用领域。
PMF280UN 适用于多种高功率电子系统和模块设计。常见的应用包括：电源管理模块中的DC-DC转换器、电机驱动电路、高边/低边开关、电池管理系统（BMS）、LED照明驱动器以及工业自动化设备中的功率控制部分。
在汽车电子领域，PMF280UN 可用于车身控制模块、车载充电器（OBC）以及电动助力转向系统（EPS）等应用，其高耐压和高电流能力使其能够在苛刻的工作环境中稳定运行。
此外，该MOSFET也可用于消费类电子产品中的电源适配器和开关电源（SMPS）设计，提高能效并减小产品体积。
STP280N2LLT4、FDPF280N、IRF280N
