时间：2025/9/15 4:13:25
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PMF170XP 是一款高性能、低功耗的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载管理等领域。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗并提高系统效率。PMF170XP 通常采用TO-220或D2PAK等封装形式，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：170A
导通电阻（Rds(on)）：最大3.7mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-220、D2PAK
PMF170XP MOSFET采用了先进的沟槽技术，具有非常低的Rds(on)，在高电流应用中表现出色，显著降低了导通损耗。该器件的高电流承载能力使其非常适合用于大功率开关电源和DC-DC转换器中。
其100V的漏源电压额定值适用于多种中高压应用，同时±20V的栅源电压容限提供了良好的抗过压能力，提高了系统的稳定性与可靠性。
此外，PMF170XP的封装设计（如TO-220或D2PAK）具有良好的散热性能，能够有效管理功率损耗带来的热量，适用于高密度电源设计。该器件还具备快速开关特性，减少了开关损耗，提升了整体效率。
在保护方面，PMF170XP具备良好的雪崩击穿耐受能力，能够在瞬态条件下保持稳定工作，适用于高可靠性要求的应用场景。
PMF170XP 广泛应用于多种高功率电子系统中，尤其是在需要高效能和低导通损耗的设计中表现出色。常见的应用包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电源分配系统、工业自动化控制以及电动汽车充电模块等。
由于其高电流能力和优异的导通性能，该器件在高功率密度设计中尤为受欢迎。例如，在服务器电源、通信设备电源、工业电源以及新能源系统（如太阳能逆变器和储能系统）中，PMF170XP均能发挥出色的性能。
此外，其优异的热性能和高可靠性也使其适用于车载电子系统，如车载充电器、电池管理系统以及电机控制模块。
IRF1405, Si7410DP, IPW90R037C06, FDP170N10A
