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PMEG6010ESBYL 发布时间 时间:2025/9/14 21:47:39 查看 阅读:13

PMEG6010ESBYL 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的肖特基二极管,专为高效率和低电压降设计。这款二极管采用SOT223封装,适用于各种高功率应用,例如电源管理、DC-DC转换器和电池充电系统。PMEG6010ESBYL具有高电流容量、低正向压降和快速恢复时间,使其成为高效能电源设计的理想选择。

参数

类型:肖特基二极管
  最大正向电流(IF):6A
  最大反向电压(VR):10V
  正向压降(VF):0.34V(典型值,6A时)
  最大反向漏电流(IR):100uA(最大值,10V时)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOT223
  引脚数:4
  安装类型:表面贴装
  功耗(PD):3.7W

特性

PMEG6010ESBYL肖特基二极管具备多项优异特性,使其在电源管理系统中表现出色。首先,其低正向压降(仅0.34V)显著降低了能量损耗,提高了整体能效,这在高电流应用中尤为重要。其次,该器件的快速恢复时间(trr)极短,通常在纳秒级别,这使得它非常适合高频开关应用,例如DC-DC转换器和同步整流器。
  该器件的最大正向电流为6A,能够承受较大的负载电流,适用于需要高电流输出的电源系统。此外,PMEG6010ESBYL的最大反向电压为10V,适用于低电压整流和反向极性保护电路。其反向漏电流在10V时仅为100uA,保证了在高温条件下的稳定运行。
  采用SOT223封装形式,PMEG6010ESBYL不仅具备良好的散热性能,还节省了PCB空间,适用于紧凑型设计。该封装形式支持表面贴装工艺,便于自动化生产和焊接。此外,其工作温度范围为-55°C至150°C,确保了在极端环境下的可靠性,适用于工业级和汽车电子应用。
  总体而言,PMEG6010ESBYL是一款高可靠性的肖特基二极管,凭借其低正向压降、高电流能力和紧凑的封装设计,在电源管理、电池充电、DC-DC转换等领域具有广泛的应用前景。

应用

PMEG6010ESBYL肖特基二极管主要应用于各种高功率和高效率的电子系统中。例如,在DC-DC转换器中,该器件的低正向压降可以有效减少能量损耗,提高转换效率。此外,它也适用于电池充电管理电路,提供高效的整流和保护功能。在电源适配器和电源管理系统中,PMEG6010ESBYL能够实现高电流输出和稳定的电压转换。
  由于其紧凑的SOT223封装,PMEG6010ESBYL也常用于空间受限的电路设计,如笔记本电脑电源、移动电源和车载充电器。在汽车电子系统中,该器件可用于电源整流、负载开关和反向极性保护等应用,确保在恶劣环境下的稳定运行。
  此外,PMEG6010ESBYL还可用于高频率开关电路,如同步整流器和电源管理IC(PMIC)的辅助整流元件。其快速恢复时间和低反向漏电流特性使其在高频工作条件下表现出色,适用于现代高效的电源拓扑结构。

替代型号

PMEG6010AEPY, PMEG6010AED, PMEG6010EA, PMEG6010EJ

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PMEG6010ESBYL参数

  • 现有数量9,990现货
  • 价格1 : ¥2.86000剪切带(CT)10,000 : ¥0.42711卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)60 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)730 mV @ 1 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)2.4 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏30 μA @ 60 V
  • 不同?Vr、F 时电容20pF @ 10V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳2-XDFN
  • 供应商器件封装DSN1006-2
  • 工作温度 - 结150°C(最大)