PMEG45U10EPD 时间：2025/5/8 19:40:48 阅读：3

PMEG45U10EPD 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高压 MOSFET，具体属于 ST 的 MDmesh 系列。该器件采用沟槽栅极结构和超结技术设计，使其在高电压应用中具有出色的性能表现。它主要用于功率转换、电机驱动、电源管理等需要高效率和低损耗的场景。
　　此器件具备高击穿电压、低导通电阻以及优秀的开关特性，适用于多种工业及消费电子领域。

参数

型号：PMEG45U10EPD
　　封装：TO-220FP
　　VDS（漏源极击穿电压）：650V
　　RDS(on)（导通电阻，典型值）：750mΩ
　　ID（持续漏极电流）：4.5A
　　Qg（总栅极电荷）：35nC
　　Ciss（输入电容）：1940pF
　　EAS（雪崩能量）：33mJ
　　Tj（结温范围）：-55℃ 至 +150℃

特性

PMEG45U10EPD 的主要特性包括：
　　1. 高耐压能力：650V 的 VDS 提供了对高压环境的良好适应性。
　　2. 超低导通电阻：即使在较高的额定电流下，其 RDS(on) 仍保持较低水平，从而减少了传导损耗。
　　3. 快速开关速度：得益于先进的制造工艺，这款 MOSFET 具有较小的栅极电荷 Qg 和较短的开关时间，这有助于降低开关损耗。
　　4. 坚固的雪崩能力：高达 33mJ 的雪崩能量保证了其在异常工作条件下的可靠性。
　　5. 宽广的工作温度范围：从 -55℃ 到 +150℃ 的结温范围，确保其能够在极端环境下稳定运行。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
　　这些特点使 PMEG45U10EPD 成为众多高电压应用的理想选择。

应用

PMEG45U10EPD 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）
　　2. 适配器与充电器
　　3. 电机驱动控制
　　4. 工业自动化设备中的功率转换
　　5. 不间断电源（UPS）系统
　　6. LED 照明驱动电路
　　7. 太阳能逆变器
　　由于其卓越的电气特性和可靠性，PMEG45U10EPD 在这些应用中能够提供高效、稳定的功率传输与控制。