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PMEG120G20ELR-Q 发布时间 时间:2025/7/22 10:08:30 查看 阅读:10

PMEG120G20ELR-Q 是一款由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高效率、高功率应用设计,采用先进的硅技术,提供低导通电阻和高电流处理能力。该型号适用于汽车电子、工业控制、电源管理和电机驱动等高要求的应用场景。PMEG120G20ELR-Q 采用小型化封装设计,支持表面贴装(SMD),便于在紧凑型电路中使用。

参数

类型:功率MOSFET
  技术:N沟道增强型
  最大漏源电压(Vds):120V
  最大漏极电流(Id):20A
  导通电阻(Rds(on)):27mΩ(典型值)
  栅极电荷(Qg):29nC
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:Power-SO10
  功率耗散(Ptot):45W

特性

PMEG120G20ELR-Q 功率MOSFET 具有多个关键特性,使其在高性能电源应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流条件下最小的功率损耗,提高了整体效率。其次,该器件的高漏极电流能力(20A)使其适用于高负载环境,如电机控制和DC-DC转换器。此外,该MOSFET具备高热稳定性,能够在极端温度条件下(-55°C 至 +175°C)稳定运行,适用于工业和汽车应用。其采用的Power-SO10封装不仅节省空间,还具有良好的散热性能,便于PCB布局和自动化生产。栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,提高开关频率下的性能。最后,该器件符合RoHS环保标准,适用于现代绿色电子产品设计。
  另一个重要特性是其高雪崩能量耐受能力,这意味着即使在突发电压尖峰或感性负载切换情况下,器件仍能保持稳定运行,减少失效风险。这对于需要高可靠性的系统(如电动汽车、工业伺服驱动器)至关重要。此外,该MOSFET具备良好的线性工作区控制能力,适合用于线性稳压器或负载开关等应用。

应用

PMEG120G20ELR-Q 广泛应用于多个高功率、高效率需求的电子系统中。例如,该器件适用于汽车电子系统,如电动助力转向(EPS)、车载充电器(OBC)和电池管理系统(BMS)。在工业领域,该MOSFET可用于电机驱动器、伺服控制器、PLC(可编程逻辑控制器)以及工业电源模块。此外,该器件在消费类电子产品中也有所应用,例如高性能笔记本电脑电源适配器、游戏主机电源和智能家居设备的高功率控制模块。由于其高可靠性和良好的热管理能力,PMEG120G20ELR-Q 也可用于可再生能源系统,如太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。此外,在电信设备和服务器电源中,该MOSFET因其高效率和低功耗特性而受到青睐。

替代型号

PMEG120G20ELR-Q的替代型号包括PMEG120G20ELH、PMEG120G20ERP、PMEG120G20ELE、PMEG120G20ELR

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