PMEG060V100EPDAZ是一款由Nexperia(安世半导体)推出的高性能肖特基二极管,采用先进的Trench肖特基技术制造,具备极低的正向压降和优异的反向漏电流性能。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池充电以及高效率电源系统中,适用于需要高效能、低损耗的电路设计场景。
最大重复峰值反向电压:60V
最大平均正向电流:10A
峰值正向电流:60A
正向电压(@10A):0.29V(典型值)
反向漏电流(@60V,25°C):5μA(最大值)
工作温度范围:-55°C至+150°C
存储温度范围:-65°C至+150°C
封装形式:DFN2020-3(也称为SOD123F)
PMEG060V100EPDAZ的主要特性之一是其极低的正向电压降,典型值仅为0.29V,在10A的正向电流下仍能保持较低的导通损耗,从而显著提高系统效率。这使得它在高功率密度和高能效要求的应用中表现尤为出色。
此外,该器件采用了先进的Trench肖特基技术,有效降低了反向漏电流,同时提升了器件的热稳定性。在高温环境下,PMEG060V100EPDAZ的反向漏电流控制依然良好,确保了器件在极端工作条件下的可靠性。
该二极管采用DFN2020-3封装,具有较小的封装体积和良好的热管理性能,适用于表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和空间受限的设计应用。其高电流承载能力和紧凑的封装形式,使其成为便携式设备、汽车电子、工业控制系统和通信设备中的理想选择。
器件还具备优良的抗浪涌能力,可承受高达60A的峰值正向电流,适用于可能遭遇瞬态大电流冲击的电路环境。此外,其宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C)进一步增强了其在严苛环境下的稳定性和耐久性。
PMEG060V100EPDAZ适用于多种高能效电源系统设计,例如在DC-DC转换器中作为整流元件,用于提高转换效率并降低功耗;在电池管理系统中作为防反接保护二极管;在负载开关电路中用于实现快速、低损耗的电源切换;以及在汽车电子系统中用于稳压器、充电管理模块和辅助电源系统等应用。
此外,该器件也可用于电源适配器、LED照明系统、便携式消费电子产品和工业控制设备中的高效能整流与续流电路设计。由于其具备高电流能力、低正向压降和良好的热性能,PMEG060V100EPDAZ在需要高可靠性和高效率的现代电子系统中具有广泛的应用前景。
PMEG060V100BEPDX, PMEG060V100BECJ, PMEG060V100BER, PMEG060V100BEC